所属教職員/上野 啓司 の変更点


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*上野 啓司 [#q8b4434e]
|&ref(photo_01.jpg,nolink,20%,本人近影);|・1964年長野県長野市生まれ。&br;・1990年東京大学大学院博士課程中退,1993年博士(理学)取得。1990年より東京大学理学部・大学院理学系研究科助手,2002年10月埼玉大学理学部基礎化学科助教授に着任。 2007年4月准教授に職名変更。現在に至る。&br;・専門分野は固体表面物性,特に超高真空下での薄膜成長とその構造・物性探索である。これまでに,層状物質,あるいは有機分子性結晶薄膜が,結晶構造・格子定数の大きく異なる半導体基板上であっても「表面不活性化」によりヘテロエピタキシャル成長することを実証している。最近は,表面不活性基板上に位置・形状を制御した有機/無機ナノ構造を形成し,その物性を走査型プローブ顕微鏡などによって測定する研究を進めている。|
|授業担当(学部)|分析化学,固体化学,化学基礎実験I・II,合成解析実験II,現代サイエンスI(1回のみ)|
|授業担当(修士)|無機化学特論(隔年開講)|
|授業担当(博士)|表面物性化学特論|
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-ギャラリー

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|&ref(fig_01.jpg,nolink);|表面をbilayer-GaSeで終端/不活性化したSi(111)基板上に,原子間力顕微鏡を用いた陽極酸化法により形成した星形酸化物パターン。5000nm×5000nm。&br;参考:Surf. Sci. 514 (2002) 27-32.|
|&ref(fig_02.jpg,nolink);|表面をbilayer-GaSeで終端/不活性化したSi(111)基板上に形成した酸化亜鉛量子ドットの原子間力顕微鏡像。500nm×500nm。&br;参考:Appl. Surf. Sci. 190 (2002) 485-490.|
|&ref(fig_03.jpg,nolink);|MoS&subsc{2};基板上に成長した単層GaSe薄膜の走査型トンネル顕微鏡像に見られる原子像と長周期モアレ変調構造。10nm×10nm。&br;参考:J. Crystal. Growth 219 (2000) 115-122.|