活動報告・予告/Annual Reports/上野研究室2022 の履歴(No.25)


研究室教員

研究課題

  1. 遷移金属ダイカルコゲナイド等のカルコゲナイド系層状物質単結晶形成,単層剥離と素子応用
  2. 他のさまざまな層状物質の単結晶形成,単層剥離と素子応用
  3. 化学気相成長法(CVD),原子層堆積法(ALD)によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長
  4. 層状物質のラマン分光測定,表面電子分光測定

発表論文

  1. "Ultrafast Operation of 2D Heterostructured Nonvolatile Memory Devices Provided by the Strong Short-Time Dielectric Breakdown Strength of h-BN"
    • T. Sasaki, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Nishimura, and K. Nagashio
    • ACS Appl. Mater. Interfaces 14 (2022) 25659–25669
    • DOI:10.1021/acsami.2c03198
  2. "Reversible Charge-polarity Control for Multioperation-mode Transistors Based on van der Waals Heterostructures"
    • C.-F. Chen, S.-H. Yang, M.-P. Lee, M.-Y. Tsai, F.-S. Yang, Y.-M. Chang, C.-Y. Lin, M. Li, K.-C. Lee, K. Ueno, Y. Shi, C. H. Lien, W.-W. Wu, P.-W. Chiu, S.-T. Lo, and Y.-F. Lin
    • Adv. Sci., 9 (2022) 2106016
    • DOI:10.1002/advs.202106016
  3. "Diffused Beam Energy to Dope van der Waals Electronics and Boost Their Contact Barrier Lowering"
    • C.-Y. Lin, M.-P. Lee, Y.-M. Chang, Y.-T. Tseng, F. -S. Yang, M. Li, J.-C. Chen, C.-F. Chen, M.-Y. Tsai, Y.-C. Lin, K. Ueno, M. Yamamoto, S.-T. Lo, C.-H. Lien, P.-W. Chiu, K. Tsukagoshi, W.-W. Wu, Y.-F. Lin
    • ACS Appl. Mater. Interfaces 14 (2022) 41156–41164
    • DOI:/10.1021/acsami.2c07679
  4. "Is band gap of bulk PdSe2 located really in far infrared region? Determination by Fourier Transform Photocurrent Spectroscopy"
    • W. Nishiyama, T. Nishimura, M. Nishioka, K. Ueno, S. Iwamoto, and K. Nagashio
    • Adv. Photonics Res. 3 (2022) 2200231
    • DOI:10.1002/adpr.202200231
  5. "Emergence of interlayer coherence in twist-controlled graphene double layers"
    • K. A. Lin, N. Prasad, G. W. Burg, B. Zou, K. Ueno, K. Watanabe, T. Taniguchi, A. H. MacDonald, and E. Tutuc
    • Phys. Rev. Lett. 129 (2022) 187701
    • DOI:10.1103/PhysRevLett.129.187701
  6. "Enhanced contact properties of MoTe2-FET via laser-induced heavy doping"
    • T. Xie, K. Fukuda, M. Ke, P. Krüger, K. Ueno, G.-H. Kim, N. Aoki
    • Jpn. J. Appl. Phys. 62 (2023) SC1010
    • DOI:10.35848/1347-4065/aca67e
  7. "Multilayer In-Plane Heterostructures Based on Transition Metal Dichalcogenides for Advanced Electronics"
    • H. Ogura, S. Kawasaki, Z. Liu, T. Endo, M. Maruyama, Y. Gao, Y. Nakanishi, H.E. Lim, K. Yanagi, T. Irisawa, K. Ueno, S. Okada, K. Nagashio, Y. Miyata
    • ACS Nano 17 (2023) 6545-6554
    • DOI:10.1021/acsnano.2c11927
  8. "Carrier Transport Properties in Few-Layer WS0.3Se1.7/(WOx)WS0.3Se1.7 Lateral p+-n Junctions Using a Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFETs) Structure"
    • A. Kuddus, K. Yokoyama, W. Fan, K. Ueno, H. Shirai
    • ACS Appl. Electron. Mater. 5 (2023) 1546–1557
    • DOI:10.1021/acsaelm.2c01598

学会(予定も含む)

研究会,セミナー講演(予定も含む)

外部資金獲得状況

  1. 2021~2023年度 日本学術振興会 学術研究助成基金助成金 基盤研究(C) 代表:上野啓司 「触媒効果による層状化合物原子膜の低温単結晶成長実現」
  2. 2022~2023年度 日本学術振興会 科学研究費補助金 学術変革領域研究(A)(公募研究) 代表:上野啓司 「ファンデルワースル積層構造のための新規バッファ層物質:硫化ガリウムの応用」
  3. 2022〜2026年度 日本学術振興会 科学研究費補助金 基盤研究(S) 代表:長汐晃輔(東京大学) 「超低消費電力システム構築のための2次元トンネルFETの集積化」研究分担者
  4. 2022~2025年度 日本学術振興会 科学研究費補助金 基盤研究(B) 代表:山本真人(関西大学) 「遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を酸化前駆体とする機能性酸化物超薄膜の創出」 研究分担者
  5. 2022~2024年度 国立研究開発法人科学技術振興機構 国際科学技術協力基盤整備事業 日本-台湾研究交流(AIシステム構成に資するナノエレクトロニクス技術) 代表:山本真人(関西大学)「神経模倣コンピュータ応用に向けた超低消費電力二次元材料不揮発性メモリの創出」 研究分担者

学会等の活動