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*研究室教員 [#f0e87c51]
-教授 上野 啓司[[（研究室Webページ）:http://surface-www.chem.saitama-u.ac.jp/wiki/index.php]]
-Researcher ID: [[B-2741-2012:http://www.researcherid.com/rid/B-2741-2012]]
-ORCID: [[orcid.org/0000-0002-5535-9382:https://orcid.org/0000-0002-5535-9382]]
*研究課題 [#tdb84077]
+遷移金属ダイカルコゲナイド等のカルコゲナイド系層状物質単結晶形成，単層剥離と素子応用
+他のさまざまな層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用
+化学気相成長法（CVD），原子層堆積法（ALD）によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長
+層状物質のラマン分光測定，表面電子分光測定
//+炭素系材料／シリコンヘテロ接合太陽電池の開発
//+溶液塗布法によるグラフェン薄膜形成とさまざまな素子への応用
//+可溶化グラフェンを用いた新奇機能性材料の開発
//+塗布・印刷法による有機薄膜素子（電界効果トランジスタ，太陽電池）形成
*発表論文 [#e1d5d150]
+"Synthesis of AlO&subsc{x}; thin films by atmospheric pressure mist chemical vapor deposition for surface passivation and electrical insulator layers"
--A. Rajib, K. M. Enamul, S. Kurosu, T. Ukai, M. Tokuda, Y. Fujii, T. Hanajiri, R. Ishikawa, K. Ueno, and H. Shirai
--J. Vac. Sci. Technol. A ''38'' (2020) 033413
--DOI:[[10.1116/1.5143273:https://doi.org/10.1116/1.5143273]]
+"Flat bands in twisted bilayer transition metal dichalcogenides"
--Z. Zhang, Y. Wang, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Ueno, E. Tutuc and B.J. LeRoy
--Nature Physics ''16'' (2020)1093–1096
--DOI:[[10.1038/s41567-020-0958-x:https://doi.org/10.1038/s41567-020-0958-x]]
--[[View-only access is here:https://rdcu.be/b5r1E]]
+"Effect of thermally annealed atomic-layer-deposited AlO&subsc{x};/chemical tunnel oxide stack layer at the PEDOT:PSS/n-type Si interface to improve its junction quality"
--Md E. Karim, Y. Nasuno, A. Kuddus, T. Ukai, S. Kurosu, M. Tokuda, Y. Fujii, T. Hanajiri, R. Ishikawa, K. Ueno, and H. Shirai
--J. Appl. Phys. ''128'' (2020) 045305
--DOI:[[10.1063/5.0007918:https://doi.org/10.1063/5.0007918]]
+"Facile and reversible carrier-type manipulation of layered MoTe&subsc{2}; toward long-term stable electronics"
--M. Li, C.-Y. Lin, Y.-M. Chang, S.-H. Yang, M.-P. Lee, C.-F. Chen, K.-C. Lee, F.-S. Yang, Y. Chou, Y.-C. Lin, K. Ueno, Y. Shi, Y.-C. Chou, K. Tsukagoshi, Y.-F. Lin
--ACS Appl. Mater. Interfaces ''12'' (2020) 42918-42924
--DOI:[[10.1021/acsami.0c09922:https://doi.org/10.1021/acsami.0c09922]]
+"Exciton diffusion in '''h'''BN-encapsulated monolayer MoSe&subsc{2};"
--T. Hotta, S. Higuchi, A. Ueda, K. Shinokita, Y. Miyauchi, K. Matsuda, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, and R. Kitaura
--Phys. Rev. B ''102'' (2020) 115424
--DOI:[[10.1103/PhysRevB.102.115424:https://doi.org/10.1103/PhysRevB.102.115424]]
+"Understanding the Memory Window Overestimation of 2D Materials Based Floating Gate Type Memory Devices by Measuring Floating Gate Voltage"
--T. Sasaki, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Nishimura, and K. Nagashio
--Small ''16'' (2020) 2004907
--DOI:[[10.1002/smll.202004907:https://doi.org/10.1002/smll.202004907]]
+"All 2D heterostructure Tunnel Field Effect Transistors: Impact of Band Alignment and Heterointerface Quality"
--K. Nakamura, N. Nagamura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio
--ACS Appl. Mater. Interfaces ''12'' (2020) 51598-51606
--DOI:[[10.1021/acsami.0c13233:https://doi.org/10.1021/acsami.0c13233]]
+"Enhanced Exciton-Exciton Collisions in an Ultraflat Monolayer MoSe&subsc{2}; Prepared through Deterministic Flattening"
--T. Hotta, A. Ueda, S. Higuchi, M. Okada, T. Shimizu, T. Kubo, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, R. Kitaura
--ACS Nano ''15'' (2021) 1370–1377
--DOI:[[10.1021/acsnano.0c08642:https://doi.org/10.1021/acsnano.0c08642]]
+"Twist Angle-Dependent Interlayer Exciton Lifetimes in van der Waals Heterostructures"
--J. Choi, M. Florian, A. Steinhoff, D. Erben , K. Tran, D. S. Kim, L. Sun, J. Quan, R. Claassen, S. Majumder, J. A. Hollingsworth, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Ueno, A. Singh, G. Moody, F. Jahnke, and X. Li
--Phys. Rev. Lett. ''126'' (2021) 047401
--DOI:[[10.1103/PhysRevLett.126.047401:https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.126.047401]]
+"AlO&subsc{x}; Thin Films Synthesized by Mist Chemical Vapor Deposition, Monitored by a Fast-Scanning Mobility Particle Analyzer, and Applied as a Gate Insulating Layer in the Field-Effect Transistors"
--A. Rajib, A. Kuddus, T. Shida, K. Ueno, and H. Shirai
--ACS Appl. Electron. Mater. ''3'' (2021) 658–667
--DOI:[[10.1021/acsaelm.0c00758:https://doi.org/10.1021/acsaelm.0c00758]]
+"Material and Device Structure Designs for 2D Memory Devices Based on the Floating Gate Voltage Trajectory"
--T. Sasaki, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Nishimura, and K. Nagashio
--ACS nano ''15'' (2021) 6658–6668
--DOI:[[10.1021/acsnano.0c10005:https://doi.org/10.1021/acsnano.0c10005]]
*総説，解説等 [#geba9d5c]
*著書 [#o3b9b76a]
//*総説，解説等 [#geba9d5c]
//*著書 [#o3b9b76a]
*学会（予定も含む） [#h69cb5c1]
-2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会（2020年9月8～11日，オンライン開催）
--Fabrication of Carbon Nanotubes Nanostructures
---&super{1};Nagoya Univ.，&super{2};The Univ. of Tokyo，&super{3};Saitama Univ.，&super{4};NIMS，&super{5};AIST &super{〇};(M1)Haruna Nakajima&super{1};，Takato Hotta&super{1};，Taiki Inoue&super{2};，Syohei Chiashi&super{2};，Keiji Ueno&super{3};，Kenji Watanabe&super{4};，Takashi Taniguchi&super{4};，Shigeo Maruyama&super{2,5};，Ryo Kitaura&super{1}; 10a-Z29-14
--浮遊ゲート電位の測定による2DメモリデバイスのMemory window過大評価の理解
---&super{1};東大工，&super{2};埼玉大理，&super{3};物材機構 &super{〇};佐々木 太郎&super{1};，上野 啓司&super{2};，谷口 尚&super{3};，渡邊 賢司&super{3};，西村 知紀&super{1};，長汐 晃輔&super{1}; 11p-Z29-10
--浮遊ゲート電位（VFG）のトラジェクトリを用いた2Dメモリデバイスの動作理解
---&super{1};東大工，&super{2};埼玉大理，&super{3};物材機構 &super{〇};佐々木 太郎&super{1};，上野 啓司&super{2};，谷口 尚&super{3};，渡邊 賢司&super{3};，西村 知紀&super{1};，長汐 晃輔&super{1}; 11p-Z29-11
--低バリアの実現に向けた1T’-MoTe&subsc{2};と2H-MoTe&subsc{2};のコンタクト特性の評価
---&super{1};千葉大学，&super{2};埼玉大学 &super{〇};謝 天順&super{1};，大内 秀益&super{1};，坂梨 昂平&super{1};，上野 啓司&super{2};，青木 伸之&super{1};， 11a-Z29-13
--完全2次元ヘテロTFETによる室温での60mV/dec以下のSS実現
---&super{1};東大，&super{2};NIMS，&super{3};埼玉大 中村 圭吾&super{1};，永村 直佳&super{2};，上野 啓司&super{3};，谷口 尚&super{2};，渡邊 賢司&super{2};，&super{〇};長汐 晃輔&super{1}; 11p-Z29-16
-日本物理学会2020年秋季大会（2020年9月8〜11日，オンライン開催）
--波数空間におけるMoS2価電子バンドの原子軌道への分解
---阪大産研, 埼玉大理工&super{A};, 分子研UVSOR&super{B}; &super{〇};田中慎一郎, 上野啓司&super{A};，松田博之&super{B};，松井文彦&super{B}; 9aE2-3
-分子科学会 オンライン討論会（2020年9月14～17日，オンライン開催）
--カーボンナノチューブを組み込んだナノ構造体の作製
---名大理&super{1};，東大工&super{2};，埼玉大理&super{3};，物材機構&super{4};，産総研&super{5}; &super{○};中嶋春菜&super{1};，堀田貴都&super{1};，井ノ上泰輝&super{2};，千足昇平&super{2};，上野啓司&super{3};，渡邊賢司&super{4};，谷口尚&super{4};，丸山茂夫&super{2,5};，北浦良&super{1}; 4B03
-2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)(Sep.
27-30, virtual conference)
--The demonstration of SS below 60 mV/dec at RT in all 2D heterostructure TFET
---K. Nakamura&super{1};, N. Nagamura&super{2};, K. Ueno&super{3};, T. Taniguchi&super{2};, K. Watanabe&super{2};, &super{〇};Kosuke Nagashio&super{1}; (1. The University of Tokyo(Japan), 2. National Institute for Materials Science(Japan), 3. Saitama University(Japan)) H-9-01
--Understanding the Tunneling Behavior in 2D Based Floating Gate Type Memory Device by Measuring Floating Gate Voltage
---&super{〇};Taro Sasaki&super{1};, Keiji Ueno&super{2};, Takashi Taniguchi&super{3};, Kenji Watanabe&super{3};, Tomonori Nishimura&super{1};, Kosuke Nagashio&super{1}; (1. Univ. of Tokyo(Japan), 2. Saitama Univ.(Japan), 3. NIMS(Japan)) H-9-04
-日本物理学会 2021年第76回年次大会（2021年3月12～15日、オンライン開催）
--マイクロARPESによる遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜の電子状態
---東北大院理&super{A};, 東北大WPI-AIMR&super{B};, 東北大CSRN&super{C};, JST-PRESTO&super{D};, 埼玉大理工&super{E};, KEK物構研&super{F};, 量研機構&super{G};, 東北大多元研&super{H}; 菅原克明&super{A, B, C, D};, 川上竜平&super{A};, 加藤剛臣&super{A};, 田口大樹&super{A};, 猿田康朗&super{A};, 久保田雄也&super{A};, 坪野竜治&super{A};, 中山耕輔&super{A, D};, 相馬清吾&super{B, C};, 上野啓司&super{E};, 北村未歩&super{F};, 堀場弘司&super{F, G};, 組頭広志&super{F, H};, 高橋隆&super{A, B, C};, 佐藤宇史&super{A, B, C}; 13aE2-3
-2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会（2021年3月16〜19日、オンライン開催）
--タンデム型太陽電池の作製を志向したFA&subsc{0.9};Cs&subsc{0.1};Pb(I&subsc{0.65};Br&subsc{0.35};)&subsc{3};薄膜の改善
---埼玉大院理工 &super{〇};下村 和司、石川 良、上野 啓司、白井 肇 17p-P10-11
--真空中でレーザー照射により得られた1T-MoTe&subsc{2};と2H-MoTe&subsc{2};のコンタクト特性の評価
---&super{1};千葉大学、&super{2};埼玉大学 &super{〇};謝 天順&super{1};、池田 駿太郎&super{1};、坂梨 昂平&super{1};、上野 啓司&super{2};、青木 伸之&super{1}; 18p-Z31-4
--ショットキー障壁制御によるn型WS&subsc{2};-FETのp型動作の実現
---&super{1};東京大工、&super{2};埼玉大、&super{3};物材機構 &super{〇};加藤 諒一&super{1};、上野 啓司&super{2};、谷口 尚&super{3};、渡辺 賢司&super{3};、西村 知紀&super{1};、長汐 晃輔&super{1}; 19a-Z31-3
--層状半導体を用いた青色微小発光素子の放射色変換
---&super{1};信州大工、&super{2};信州大先鋭材料研、&super{3};埼玉大院理工 &super{〇};坪井 佑篤&super{1};、浦上 法之&super{1,2};、橋本 佳男&super{1,2};、上野 啓司&super{3}; 19a-Z31-8
--2Dメモリデバイスにおける1μs以下の高速書き込み動作
---&super{1};東大工、&super{2};埼玉大理、&super{3};物材機構 &super{〇};佐々木 太郎&super{1};、上野 啓司&super{2};、谷口 尚&super{3};、渡邉 賢司&super{3};、西村 知紀&super{1};、長汐 晃輔&super{1}; 19a-Z31-11 【注目講演】
--液体前駆体を用いてMBE成長したWS&subsc{2};薄膜の硫黄アニールによる膜質改善
---埼玉大院理工 &super{〇};井上 敬道、上野 啓司 19p-P01-7
--β相MoTe&subsc{2};の大型単結晶合成(2)
---埼玉大院理工 &super{〇};森 拓哉、上野 啓司 19p-P01-8
--プラズマ照射を用いた1T相 MoSe&subsc{2};薄膜の形成
---埼玉大院理工 &super{〇};志田 知洋、上野 啓司 19p-P01-19
--Digitalized Mist-Chemical Vapor Deposition of atomic-layer Molybdenum Disulfide (MoS&subsc{2};) Flakes at Low Temperatures
---Saitama Univ. &super{〇};Abdul A Kuddus, Arifuzzaman Rajib, Shimomura Kazushi, Yokoyama Kojun, Keiji Ueno, Hajime Shirai 19p-Z33-1
--Aluminum titanium oxide Thin Films Synthesized by Mist-CVD and Applied as a Gate Insulating Layer
---Saitama Univ. &super{〇};Arifuzzaman Rajib Rajib, Abdul Kuddus, Tomohiro Shida, Kojun Yokoyama, Keiji Ueno, Hajime Shirai 19p-Z33-2
*研究会，セミナー講演（予定も含む） [#nb94cc1b]
//*アウトリーチ活動
//*特許
//*受賞
*外部資金獲得状況 [#ze4884ca]
+2018〜2020年度 科学研究費補助金 基盤研究（Ｂ）一般 代表：上野啓司 「高蒸気圧原料による低温ファンデルワールス・エピタキシー」
*学会等の活動 [#ye94d8b0]
//-[[第33回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議（32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2020)）:http://imnc.jp/]]論文委員
-[[第33回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議（33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2020)）:http://imnc.jp/]]論文委員
-日本表面真空学会 真空技術調査部会 研究例会企画専門部会 2020年度委員
-日本学術振興会 第147委員会委員
