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*研究室教員 [#cb3499d3]
-准教授 上野 啓司[[（研究室Webページ）:http://surface-www.chem.saitama-u.ac.jp/wiki/index.php]]
-Researcher ID: [[B-2741-2012:http://www.researcherid.com/rid/B-2741-2012]]
-ORCID: [[orcid.org/0000-0002-5535-9382:https://orcid.org/0000-0002-5535-9382]]
*研究課題 [#p993ca00]
+遷移金属ダイカルコゲナイド等のカルコゲナイド系層状物質単結晶形成，単層剥離と素子応用
+他のさまざまな層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用
+化学気相成長法（CVD），原子層堆積法（ALD）によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長
+層状物質のラマン分光測定，表面電子分光測定
//+炭素系材料／シリコンヘテロ接合太陽電池の開発
//+溶液塗布法によるグラフェン薄膜形成とさまざまな素子への応用
//+可溶化グラフェンを用いた新奇機能性材料の開発
//+塗布・印刷法による有機薄膜素子（電界効果トランジスタ，太陽電池）形成
*発表論文 [#gb1196ab]
+"Anisotropic Band Splitting in Monolayer NbSe&subsc{2};: Implications for Superconductivity and Charge Density Wave"
--Y. Nakata, K. Sugawara, S. Ichinokura, Y. Okada, T. Hitosugi, T. Koretsune, K. Ueno, S. Hasegawa, T. Takahashi, and T. Sato
--npj 2D Materials and Applications ''2'' (2018) 12
--DOI:[[10.1038/s41699-018-0057-3:https://doi.org/10.1038/s41699-018-0057-3]]
+"Fabrication and Surface Engineering of Two-Dimensional SnS Toward Piezoelectric Nanogenerator Application"
--N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Ueno and Kosuke Nagashio
--MRS Advances (2018) 1-6
--DOI:[[10.1557/adv.2018.404:https://doi.org/10.1557/adv.2018.404]]
+"Pronounced photogating effect in atomically thin WSe&subsc{2}; with a self-limiting surface oxide layer"
--M. Yamamoto, K. Ueno and K. Tsukagoshi
--Appl. Phys. Lett. ''112'' (2018) 181902 (5 pages)
--DOI:[[10.1063/1.5030525:https://doi.org/10.1063/1.5030525]]
+"Ultrathin Bismuth Film on 1'''T'''-TaS&subsc{2};: Structural Transition and Charge-Density-Wave Proximity Effect"
--K. Yamada, S. Souma, K. Yamauchi, N. Shimamura, K. Sugawara, C. Trang, T. Oguchi, K. Ueno, T. Takahashi, T. Sato
--Nano Lett. ''18'' (2018) 3235–3240
--DOI:[[10.1021/acs.nanolett.8b01003:https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.8b01003]]
+"Fabrication of [CH(NH&subsc{2};)&subsc{2};]&subsc{0.8};Cs&subsc{0.2};PbI&subsc{3}; perovskite thin films for n-i-p planar-structure solar cells by a one-step method using 1-cyclohexyl-2-pyrrolidone as an additive"
--R. Ishikawa, K. Ueno and H. Shirai
--Chem. Lett. ''47'' (2018) 905-908
--DOI:[[10.1246/cl.180216:https://doi.org/10.1246/cl.180216]]
+"2-Dimensional Tunnel FETs with a Stable Charge-Transfer-Type p&super{+};-WSe&subsc{2}; Source
--J. He, N. Fang, K. Nakamura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio
--Adv. Electron. Mater., in press (2018)
--Adv. Electron. Mater. ''4'' (2018) 1800207
--DOI:[[10.1002/aelm.201800207:https://doi.org/10.1002/aelm.201800207]]
//*総説，解説等 [#x11e6851]
//*著書 [#w7b303d6]
*学会（予定も含む） [#l7e2b728]
*研究会，セミナー講演（予定も含む） [#l00ffe8e]
//*アウトリーチ活動 [#p07e2087]
//*特許 [#de503a70]
//*受賞 [#r5bd2cd7]
*外部資金獲得状況 [#if5e38f2]
+2018〜2020年度 科学研究費補助金 基盤研究（Ｂ）一般 代表：上野啓司 「高蒸気圧原料による低温ファンデルワールス・エピタキシー」
*学会等の活動 [#w4d32938]
-[[第31回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議（31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2018)）:http://imnc.jp/]]論文委員
-日本表面真空学会 真空技術調査部会 研究例会企画専門部会 2018年度委員
