- 追加された行はこの色です。
- 削除された行はこの色です。
#norelated
*研究室教員 [#f0e87c51]
-教授 上野 啓司[[（研究室Webページ）:http://surface-www.chem.saitama-u.ac.jp/wiki/index.php]]
-Researcher ID: [[B-2741-2012:http://www.researcherid.com/rid/B-2741-2012]]
-ORCID: [[orcid.org/0000-0002-5535-9382:https://orcid.org/0000-0002-5535-9382]]
*研究課題 [#tdb84077]
+遷移金属ダイカルコゲナイド等のカルコゲナイド系層状物質単結晶形成，単層剥離と素子応用
+他のさまざまな層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用
+化学気相成長法（CVD），原子層堆積法（ALD）によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長
+層状物質のラマン分光測定，表面電子分光測定
//+炭素系材料／シリコンヘテロ接合太陽電池の開発
//+溶液塗布法によるグラフェン薄膜形成とさまざまな素子への応用
//+可溶化グラフェンを用いた新奇機能性材料の開発
//+塗布・印刷法による有機薄膜素子（電界効果トランジスタ，太陽電池）形成
*発表論文 [#e1d5d150]
+"Synthesis of AlO&subsc{x}; thin films by atmospheric pressure mist chemical vapor deposition for surface passivation and electrical insulator layers"
--A. Rajib, K. M. Enamul, S. Kurosu, T. Ukai, M. Tokuda, Y. Fujii, T. Hanajiri, R. Ishikawa, K. Ueno, and H. Shirai
--J. Vac. Sci. Technol. A ''38'' (2020) 033413
--DOI:[[10.1116/1.5143273:https://doi.org/10.1116/1.5143273]]
+"Flat bands in twisted bilayer transition metal dichalcogenides"
--Z. Zhang, Y. Wang, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Ueno, E. Tutuc and B.J. LeRoy
--Nature Physics, in press (2020)
--DOI:[[10.1038/s41567-020-0958-x:https://doi.org/10.1038/s41567-020-0958-x]]
--[[View-only access is here:https://rdcu.be/b5r1E]]
+"Effect of thermally annealed atomic-layer-deposited AlO&subsc{x};/chemical tunnel oxide stack layer at the PEDOT:PSS/n-type Si interface to improve its junction quality"
--Md E. Karim, Y. Nasuno, A. Kuddus, T. Ukai, S. Kurosu, M. Tokuda, Y. Fujii, T. Hanajiri, R. Ishikawa, K. Ueno, and H. Shirai
--J. Appl. Phys. ''128'' (2020) 045305
--DOI:[[10.1063/5.0007918:https://doi.org/10.1063/5.0007918]]
+"Facile and reversible carrier-type manipulation of layered MoTe&subsc{2}; toward long-term stable electronics"
--M. Li, C.-Y. Lin, Y.-M. Chang, S.-H. Yang, M.-P. Lee, C.-F. Chen, K.-C. Lee, F.-S. Yang, Y. Chou, Y.-C. Lin, K. Ueno, Y. Shi, Y.-C. Chou, K. Tsukagoshi, Y.-F. Lin
--ACS Appl. Mater. Interfaces, accepted for publication.
--ACS Appl. Mater. Interfaces, in press (2020)
--DOI:[[10.1021/acsami.0c09922:https://doi.org/10.1021/acsami.0c09922]]
//*総説，解説等 [#geba9d5c]
//*著書 [#o3b9b76a]
*学会（予定も含む） [#h69cb5c1]
-2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会（2020年9月8～11日，オンライン開催）
--Fabrication of Carbon Nanotubes Nanostructures
---&super{1};Nagoya Univ.，&super{2};The Univ. of Tokyo，&super{3};Saitama Univ.，&super{4};NIMS，&super{5};AIST &super{〇};(M1)Haruna Nakajima&super{1};，Takato Hotta&super{1};，Taiki Inoue&super{2};，Syohei Chiashi&super{2};，Keiji Ueno&super{3};，Kenji Watanabe&super{4};，Takashi Taniguchi&super{4};，Shigeo Maruyama&super{2,5};，Ryo Kitaura&super{1}; 10a-Z29-14
--浮遊ゲート電位の測定による2DメモリデバイスのMemory window過大評価の理解
---&super{1};東大工，&super{2};埼玉大理，&super{3};物材機構 &super{〇};佐々木 太郎&super{1};，上野 啓司&super{2};，谷口 尚&super{3};，渡邊 賢司&super{3};，西村 知紀&super{1};，長汐 晃輔&super{1}; 11p-Z29-10
--浮遊ゲート電位（VFG）のトラジェクトリを用いた2Dメモリデバイスの動作理解
---&super{1};東大工，&super{2};埼玉大理，&super{3};物材機構 &super{〇};佐々木 太郎&super{1};，上野 啓司&super{2};，谷口 尚&super{3};，渡邊 賢司&super{3};，西村 知紀&super{1};，長汐 晃輔&super{1}; 11p-Z29-11
--低バリアの実現に向けた1T’-MoTe&subsc{2};と2H-MoTe&subsc{2};のコンタクト特性の評価
---&super{1};千葉大学，&super{2};埼玉大学 &super{〇};謝 天順&super{1};，大内 秀益&super{1};，坂梨 昂平&super{1};，上野 啓司&super{2};，青木 伸之&super{1};， 11a-Z29-13
--完全2次元ヘテロTFETによる室温での60mV/dec以下のSS実現
---&super{1};東大，&super{2};NIMS，&super{3};埼玉大 中村 圭吾&super{1};，永村 直佳&super{2};，上野 啓司&super{3};，谷口 尚&super{2};，渡邊 賢司&super{2};，&super{〇};長汐 晃輔&super{1}; 11p-Z29-16
-日本物理学会2020年秋季大会（2020年9月8〜11日，オンライン開催）
--波数空間におけるMoS2価電子バンドの原子軌道への分解
---阪大産研, 埼玉大理工&super{A};, 分子研UVSOR&super{B}; &super{〇};田中慎一郎, 上野啓司&super{A};，松田博之&super{B};，松井文彦&super{B}; 9aE2-3
-分子科学会 オンライン討論会（2020年9月14～17日，オンライン開催）
--カーボンナノチューブを組み込んだナノ構造体の作製
---名大理&super{1};，東大工&super{2};，埼玉大理&super{3};，物材機構&super{4};，産総研&super{5}; &super{○};中嶋春菜&super{1};，堀田貴都&super{1};，井ノ上泰輝&super{2};，千足昇平&super{2};，上野啓司&super{3};，渡邊賢司&super{4};，谷口尚&super{4};，丸山茂夫&super{2,5};，北浦良&super{1}; 4B03
-2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)(Sep.
27-30, virtual conference)
--The demonstration of SS below 60 mV/dec at RT in all 2D heterostructure TFET
---K. Nakamura&super{1};, N. Nagamura&super{2};, K. Ueno&super{3};, T. Taniguchi&super{2};, K. Watanabe&super{2};, &super{〇};Kosuke Nagashio&super{1}; (1. The University of Tokyo(Japan), 2. National Institute for Materials Science(Japan), 3. Saitama University(Japan)) H-9-01
--Understanding the Tunneling Behavior in 2D Based Floating Gate Type Memory Device by Measuring Floating Gate Voltage
---&super{〇};Taro Sasaki&super{1};, Keiji Ueno&super{2};, Takashi Taniguchi&super{3};, Kenji Watanabe&super{3};, Tomonori Nishimura&super{1};, Kosuke Nagashio&super{1}; (1. Univ. of Tokyo(Japan), 2. Saitama Univ.(Japan), 3. NIMS(Japan)) H-9-04
*研究会，セミナー講演（予定も含む） [#nb94cc1b]
//*アウトリーチ活動
//*特許
//*受賞
*外部資金獲得状況 [#ze4884ca]
+2018〜2020年度 科学研究費補助金 基盤研究（Ｂ）一般 代表：上野啓司 「高蒸気圧原料による低温ファンデルワールス・エピタキシー」
*学会等の活動 [#ye94d8b0]
-[[第33回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議（33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2020)）:http://imnc.jp/]]論文委員
-日本表面真空学会 真空技術調査部会 研究例会企画専門部会 2020年度委員
-日本学術振興会 第147委員会委員
