基礎化学へようこそ！
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#author("2024-03-14T16:32:01+09:00;2024-02-28T19:11:56+09:00","default:admin","admin") #author("2024-03-14T16:40:26+09:00;2024-02-28T19:11:56+09:00","default:admin","admin") #norelated *研究室教員 [#e7ea7fb4] -教授 上野 啓司[[（研究室Webページ）:http://surface-www.chem.saitama-u.ac.jp/wiki/index.php]] --Researcher ID: [[B-2741-2012:http://www.researcherid.com/rid/B-2741-2012]] --ORCID: [[orcid.org/0000-0002-5535-9382:https://orcid.org/0000-0002-5535-9382]] --2022, 2023年度 基礎化学プログラム・学科長 -助教 Lim Hong En（リム・ホン・エン） --ORCID: [[orcid.org/0000-0003-0347-8897:https://orcid.org/0000-0003-0347-8897]] *研究課題 [#k3263eda] +遷移金属ダイカルコゲナイド等のカルコゲナイド系層状物質単結晶形成，単層剥離と素子応用 +他のさまざまな層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用 +化学気相成長法（CVD），原子層堆積法（ALD）によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長 +層状物質のラマン分光測定，表面電子分光測定 +1次元カルコゲナイド物質に関する研究 //+炭素系材料／シリコンヘテロ接合太陽電池の開発 //+溶液塗布法によるグラフェン薄膜形成とさまざまな素子への応用 //+可溶化グラフェンを用いた新奇機能性材料の開発 //+塗布・印刷法による有機薄膜素子（電界効果トランジスタ，太陽電池）形成 *発表論文 [#z4a8215b] +"Terahertz emission from transient currents and coherent phonons in layered MoSe&subsc{2}; and WSe&subsc{2};" --J. Afalla, J. Muldera, S. Takamizawa, T. Fukuda, K. Ueno, M. Tani, and M. Hase --J. Appl. Phys. ''133'' (2023) 165103 --DOI:[[10.1063/5.0146489:https://doi.org/10.1063/5.0146489]] +"Fermi Pressure and Coulomb Repulsion Driven Rapid Hot Plasma Expansion in a van der Waals Heterostructure" --J. Choi, J. Embley, D.D. Blach, R. Perea-Causín, D. Erkensten, D.S. Kim, L. Yuan, W.Y. Yoon, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Ueno, E. Tutuc, S. Brem, E. Malic, X. Li, and L. Huang --Nano Lett. ''23'' (2023) 4399–4405 --DOI:[[10.1021/acs.nanolett.3c00678:https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.3c00678]] +"'''p'''-type conversion of WS&subsc{2}; and WSe&subsc{2}; by position-selective oxidation doping and its application in top gate transistors" --R. Kato, H. Uchiyama, T. Nishimura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, E. Chen, K. Nagashio --ACS Appl. Mater. Interfaces ''15'' (2023) 26977–26984 --DOI:[[10.1021/acsami.3c04052:https://doi.org/10.1021/acsami.3c04052]] +"Ultrafast melting of charge-density wave fluctuations at room temperature in 1T-TiSe&subsc{2}; monitored under non-equilibrium conditions" --Y. Mizukoshi, T. Fukuda, Y. Komori, R. Ishikawa, K. Ueno and M. Hase --Appl. Phys. Lett. ''122'' (2023) 243101 --DOI:[[10.1063/5.0153161:https://doi.org/10.1063/5.0153161]] +"Photoinduced Structural Dynamics of 2H-MoTe&subsc{2}; Under Extremely High-Density Excitation Conditions" --T. Fukuda, U. Ozaki, S. Jeong, Y. Arashida, K. En-ya, S. Yoshida, P. Fons, J. Fujita, K. Ueno, M. Hase, M. Hada --J. Phys. Chem. C ''127'' (2023) 13149-13156 --DOI:[[10.1021/acs.jpcc.3c02838:https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.3c02838]] +"Influence of Effective Mass on Carrier Concentration for PEDOT:PSS and S-PEDOT Thin Films Studied by Ellipsometry and Hall Measurement" --R. Sato, Y. Wasai, Y. Izumi, K. Ueno, and H. Shirai --J. Phys. Chem. C ''127'' (2023) 13196-13206 --DOI:[[10.1021/acs.jpcc.3c01497:https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.3c01497]] +"Soft X-ray Photoelectron Momentum Microscope for Multimodal Valence Band Stereography" --F. Matsui, K. Hagiwara, E. Nakamura, T. Yano, H. Matsuda, Y. Okano, S. Kera, E. Hashimoto, S. Koh, K. Ueno, T. Kobayashi, E. Iwamoto, K. Sakamoto, S. Tanaka, and S. Suga --Rev. Sci. Instrum. ''94'' (2023) 083701 --DOI:[[10.1063/5.0154156:https://doi.org/10.1063/5.0154156]] +"Silicon-van der Waals heterointegration for CMOS-compatible logic-in-memory design" --M.-P. Lee, C. Gao, M.-Y. Tsai, C.-Y. Lin, F.-S. Yang, H.-Y. Sung, C. Zhang, W. Li, J. Li, J. Zhang, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Ueno, K. Tsukagoshi, C.-H. Ho, J. Chu, P.-W. Chiu, M. Li, W.-W. Wu, and Y.-F. Lin --Sci. Adv. ''9'' (2023) eadk1597 --DOI:[[10.1126/sciadv.adk1597:https://doi.org/10.1126/sciadv.adk1597]] +"Realization of MoTe&subsc{2}; CMOS inverter by contact doping and channel encapsulation" --T. Xie, M. Ke, K. Ueno, K. Watanabe, T. Taniguchi, N. Aoki --Jpn. J. Appl. Phys. ''63'' (2024) 02SP49 --DOI:[[10.35848/1347-4065/ad16bc:https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad16bc]] +"Work function modulation of Bi/Au bilayer system toward p-type WSe&subsc{2}; FET" --R. Nakajima, T. Nishimura, K. Ueno, K. Nagashio --ACS Appl. Electron. Mater. ''6'' (2024) 144–149 --DOI:[[10.1021/acsaelm.3c01091:https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01091]] +"Coherent optical response driven by non-equilibrium electron-phonon dynamics in a layered transition-metal dichalcogenide" --T. Fukuda, K. Makino, Y. Saito, P. Fons, A. Ando, T. Mori, R. Ishikawa, K. Ueno, J. Afalla, and M. Hase --APL Materials ''12'' (2024) 021102 --DOI:[[10.1063/5.0188537:https://doi.org/10.1063/5.0188537]] +"Single-gate MoS&subsc{2}; Tunnel FET with Thickness-Modulated Homojunction" --T. Fukui, T. Nishimura, Y. Miyata, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio --ACS Appl. Mater. Interfaces ''16'' (2024) 8993-9001 --DOI:[[10.1021/acsami.3c15535:https://doi.org/10.1021/acsami.3c15535]] *総説，解説等 [#d6650318] +「1次元遷移金属ダイカルコゲナイド細線の気相成長」 --中西勇介、リムホンエン、宮田耕充 --応用物理 第92巻 第5号 (2023) 292-296. --DOI:[[10.11470/oubutsu.92.5_292:https://doi.org/10.11470/oubutsu.92.5_292]] *著書 [#v83330d0] +[[「遷移金属ダイカルコゲナイドの基礎と最新動向」:https://www.cmcbooks.co.jp/products/detail.php?product_id=9361]] --宮田耕充、吾郷浩樹、松田一成、長汐晃輔 監修、シーエムシー出版、2023、ISBN 978-4-7813-1758-8 --執筆担当 第13章「遷移金属ダイカルコゲナイドのバルク単結晶成長」 *学会（予定も含む） [#ec15d669] -第65回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム（2023年9月4〜6日、九州大学） --Few-Layer WS&subsc{x};Se&subsc{2-x}; on High-κ Al&subsc{x};Ti&subsc{1-x};O&subsc{y}; Dielectric Using Consistent Mist CVD and Applied in MOSFETs Devices ---&super{1};Ritsumeikan Univ., &super{2};Saitama Univ. &super{○};Abdul Kuddus&super{1};, Kojun Yokoyama&super{2};, Keiji Ueno&super{2};, Shinichiro Mouri&super{1};, Hajime Shirai&super{2}; 1P-17 -2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) (Sep. 5-8, 2023, Nagoya Congress Center, Nagoya) --Stack control of Bi/Au bilayer electrodes toward p-type WSe&subsc{2}; FET ---&super{1};The Univ. of Tokyo, &super{2};Saitama Univ., &super{3};Tokyo Metropolitan Univ. &super{○};Ryuichi Nakajima&super{1};, Tomonori Nishimura&super{1};, Keiji Ueno&super{2};, Yasumitsu Miyata&super{3};, Kosuke Nagashio&super{1}; A-7-03 -日本物理学会 第78回年次大会（2023年9月16～19日、東北大学） --半導体2H-MoTe&subsc{2};における時間領域反射率変化の初期応答 ---筑波大数理、慶大電情&super{A};、産総研&super{B};、埼大院理工&super{C}; &super{○};福田拓未、Paul Fons&super{A};、牧野孝太郎&super{B};、齊藤雄太&super{B};、上野啓司&super{C};、Jessica Afalla、長谷宗明 17aPS-17 --TiSe&subsc{2};のCDW転移に伴う3Dフェルミ面構造の変化 ---阪大産研&super{A};, 埼玉大理工&super{B};, 分子研UVSOR&super{C}; &super{○};田中慎一郎&super{A};、菅滋正&super{A};、上野啓司&super{B};、福谷圭佑&super{C};, ---阪大産研&super{A};、埼玉大理工&super{B};、分子研UVSOR&super{C}; &super{○};田中慎一郎&super{A};、菅滋正&super{A};、上野啓司&super{B};、福谷圭佑&super{C};、 松井文彦&super{C};、田中清尚&super{C}; 17pB104-10 -2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会（2023年9月19～23日、ハイブリッド開催（熊本城ホールほか3会場＋オンライン）） --Fabrication of CTFET inverter based on MoTe&subsc{2}; ---&super{1};Chiba Univ, &super{2};Saitama Univ &super{〇};Tianshun Xie&super{1};, Mengnan Ke&super{1};, Keiji Ueno&super{2};, Nobuyuki Aoki&super{1}; 19p-P01-73 --二次元WSe&subsc{2};/WO&subsc{X};電荷トラップメモリにおける光シナプス可塑性 ---&super{1};関西大システム理工、&super{2};物材機構、&super{3};埼玉大院理工 &super{〇};金谷 瞳&super{1};、櫛原 快児&super{1};、稲田 貢&super{1};、谷口 尚&super{2};、渡邊 賢司&super{2};、上野 啓司&super{3};、山本 真人&super{1}; 19p-P01-74 --二次元層状物質WSe&subsc{2};からのテラヘルツ波発生におけるメカニズムの研究 ---&super{1};筑波大数理物質、&super{2};福井大遠赤セ、&super{3};埼玉大院理工、&super{4};理化学研究所 &super{〇};山田 知穂&super{1};、高見沢 仙美&super{1};、Joselito Muldera&super{4};、上野 啓司&super{3};、谷 正彦&super{2};、Jessica Afalla&super{1};、長谷 宗明&super{1}; 20a-B203-4 --[講演奨励賞受賞記念講演] 表面偏析による積層構造制御を利用したWSe&subsc{2}; FETのp型動作 ---&super{1};東大、&super{2};埼玉大、&super{3};都立大 &super{〇};中島 隆一&super{1};、西村 知紀&super{1};、金橋 魁利&super{1};、上野 啓司&super{2};、宮田 耕充&super{3};、長汐 晃輔&super{1}; 21a-A202-1 --銀電極を用いた1T-VSe&subsc{2};抵抗変化メモリにおける低電圧・安定動作 ---&super{1};関西大院理工、&super{2};.埼玉大院理工 &super{〇};中村 優太&super{1};、稲田 貢&super{1};、上野 啓司&super{2};、山本 真人&super{1}; 21a-A202-6 --ReドープMoSe&subsc{2};同一結晶面内ヘテロ構造によるトンネルFET動作 ---&super{1};東大、&super{2};埼大 &super{〇};香崎 飛竜&super{1};、西村 知紀&super{1};、金橋 魁利&super{1};、上野 啓司&super{2};、長汐 晃輔&super{1}; 22a-A202-2 --Decomposition and Size Distribution Monitoring of AlTiO and MoS&subsc{2}; Precursor Mist Particles using a Fast-Scanning Mobility Particle Sizer ---&super{1};Ritsumeikan Univ., &super{1};Saitama Univ. &super{〇};Abdul A Kuddus&super{1};, Kojun Yokoyama&super{1};, Keiji Ueno&super{1};, Shinichiro Mouri&super{1};, Hajime Shirai&super{1}; 22p-P07-6 --自然酸化層を介した遷移金属ダイカルコゲナイド上への原子層堆積 ---&super{1};大阪公立大工、&super{2};埼玉大理工、&super{3};JSTさきがけ &super{〇};田原 匠陽&super{1};、上野 啓司&super{2};、野内 亮&super{1, 3}; 23a-A202-10 --二次元層状物質NbOI&subsc{2};の光学応答 ---&super{1};東大院理、&super{2};埼玉大院理工 &super{〇};三塚 新&super{1};、安田 偉&super{1};、河口 真志&super{1};、森戸 智&super{2};、上野 啓司&super{2};、林 将光&super{1}; 23p-A202-5 --半導体2H-MoTe&subsc{2};の高密度電子励起下における過飽和吸収現象の観測 ---&super{1};筑波大数理、&super{2};慶大電情、&super{3};埼大院理工 &super{〇};福田 拓未&super{1};、尾崎 卯汰&super{1};、鄭 サムエル&super{1};、嵐田 雄介&super{1};、塩谷 海斗&super{1};、吉田 昭二&super{1};、フォンス ポール&super{2};、藤田 淳一&super{1};、上野 啓司&super{3};、長谷 宗明&super{1};、羽田 真毅&super{1}; 23p-B204-5 --超高速かつロバストな遷移金属ダイカルコゲナイド過飽和吸収体 ---&super{1};筑波大数理、&super{2};埼玉大院理工 &super{〇};尾崎 卯汰&super{1};、福田 拓未&super{1};、岩崎 ゆい&super{1};、嵐田 雄介&super{1};、吉田 昭二&super{1};、上野 啓司&super{2};、長谷 宗明&super{1};、羽田 真毅&super{1}; 23p-B204-7 -第66回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム（2024年3月6〜8日、名古屋大学） --Effects of the metal film on the atomic layer deposition growth of tungsten disulfide films ---Saitama Univ. &super{○};Ken Sasaki, Hong En Lim, Keiji Ueno 1P-20 --Application of Gallium Sulfide as a Buffer Layer in Van der Waals Stacking Structures ---Saitama Univ. &super{○};Ayane Tanaka, Hong En Lim, Keiji Ueno 1P-26 --Scalable growth of Mo&subsc{6};Te&subsc{6}; bundles by chemical vapor deposition ---Saitama Univ. &super{○};Shintaro Saito, Itsuki Yamada, Hong En Lim, Keiji Ueno 1P-31 -日本物理学会 2024年春季大会（2024年3月18～21日、オンライン開催） --光電子運動量顕微鏡による1T-TaS&subsc{2};のCDW相転移のネスティングベクトルの決定 ---分子研UVSOR, 阪大産研&super{A};, 埼玉大理工&super{B}; 松井文彦, 萩原健太, 田中慎一郎&super{A};, 菅滋正&super{A};, 上野啓司&super{B}; 19aJ1-5 --Potential of Photoelectron Momentum Microscopy(PMM) for Studies of Complex Electronic Structures of Materials ---阪大産研, PGI-6 FZJ&super{A};, 阪大工&super{B};, 埼玉大&super{C};, 分子研UVSOR&super{D}; 菅滋正, C.Tusche&super{A};, 岩本恵美&super{B};, 小林宇宏&super{B};, 坂本一之&super{B};, 上野啓司&super{C};, 萩原健太&super{D};, 松井文彦&super{D}; 20aE2-1 --周波数変調原子間力顕微鏡を用いた1T-TaS&subsc{2};電荷密度波の観測 ---東大新領域, 埼玉大院理工&super{A}; 小野孝浩, 重野智宏, 安井勇気, 上野啓司&super{A};, 杉本宜昭 20aJ1-6 -2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会（2024年3月22～25日、ハイブリッド開催（東京都市大学世田谷キャンパス＋オンライン）） --化学気相成長法によるMo&subsc{6};Te&subsc{6};ナノワイヤーの多量成長 ---埼玉大院理工 &super{〇};斎藤 慎太朗、山田 樹、リム ホンエン、上野 啓司 22p-P07-43 --TaS&subsc{2};のオゾン酸化によるTaO&subsc{x};の形成とゲート絶縁膜応用 ---&super{1};関西大システム理工、&super{2};埼玉大院理工 &super{〇};佐橋 悠太朗&super{1};、稲田 貢&super{1};、佐藤 伸吾&super{1};、上野 啓司&super{2};、山本 真人&super{1}; 22p-P07-61 --WSe&subsc{2};をチャネルとするディラックソースFETの作製 ---&super{1};関西大システム理工、&super{2};物材機構、&super{3};埼玉大院理工 &super{〇};細見 誓&super{1};、稲田 貢&super{1};、佐藤 伸悟&super{1};、谷 弘詞&super{1};、谷口 尚&super{2};、渡邊 賢司&super{2};、上野 啓司&super{3};、山本 真人&super{1}; 22p-P07-62 --WSe&subsc{2};/WO&subsc{x};ヘテロ構造における光ゲーティング効果の温度依存性 ---&super{1};関西大システム理工、&super{2};物材機構、&super{3};埼玉大院理工 &super{〇};金谷 瞳&super{1};、稲田 貢&super{1};、谷口 尚&super{2};、渡邊 賢司&super{2};、上野 啓司&super{3};、山本 真人&super{1}; 22p-P07-64 --WSe&subsc{2};/WO&subsc{x};ヘテロ構造における抵抗変化動作の電極材料依存性 ---&super{1};関西大システム理工、&super{2};埼玉大院理工 &super{〇};福島 脩平&super{1};、稲田 貢&super{1};、上野 啓司&super{2};、山本 真人&super{1}; 22p-P07-65 --希薄NbドープWSe&subsc{2}; FETにおける層数減少に伴うp&super{+};からn型への遷移 ---&super{1};東大マテ工、&super{2};埼玉大理工 &super{〇};金橋 魁利&super{1};、西村 知紀&super{1};、上野 啓司&super{2};、長汐 晃輔&super{1}; 23p-31B-11 --Nanolaminated Mist CVD High-κ AlO&subsc{x};/Ti&subsc{x};Al&subsc{1-x};O&subsc{y};/TiO&subsc{2}; films on P&super{+};-Si for TMDCs-MOSFETs ---&super{1};Ritsumeikan Univ., &super{2};Saitama Univ., &super{3};Univ. of Dhaka, &super{4};Univ. of Rajshahi, &super{5};BSFMST Univ. &super{〇};Abdul A Kuddus&super{1};, Kojun Yokoyama&super{2};, Mainul Hossain&super{3};, Jaker Hossain&super{4};, Rasidul Islam&super{5};, keiji Ueno&super{2};, Shinichiro Mouri&super{1};, Hajime Shirai&super{2}; 24p-P16-3 *研究会，セミナー講演（予定も含む） [#r3fe81b9] //*出張講義等 //*特許 //*受賞 *外部資金獲得状況 [#c47042f7] +2021～2023年度 日本学術振興会 学術研究助成基金助成金 基盤研究（Ｃ） 代表：上野啓司 「触媒効果による層状化合物原子膜の低温単結晶成長実現」 +2022～2023年度 日本学術振興会 科学研究費補助金 学術変革領域研究（Ａ）（公募研究） 代表：上野啓司 「ファンデルワースル積層構造のための新規バッファ層物質：硫化ガリウムの応用」 +2022〜2026年度 日本学術振興会 科学研究費補助金 基盤研究（Ｓ） 代表：長汐晃輔（東京大学） 「超低消費電力システム構築のための２次元トンネルＦＥＴの集積化」研究分担者 +2022～2025年度 日本学術振興会 科学研究費補助金 基盤研究（Ｂ） 代表：山本真人（関西大学） 「遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を酸化前駆体とする機能性酸化物超薄膜の創出」 研究分担者 +2022～2024年度 国立研究開発法人科学技術振興機構 国際科学技術協力基盤整備事業 日本-台湾研究交流(AIシステム構成に資するナノエレクトロニクス技術) 代表：山本真人（関西大学）「神経模倣コンピュータ応用に向けた超低消費電力二次元材料不揮発性メモリの創出」 研究分担者 +2023～2025年度 日本学術振興会 学術研究助成基金助成金 基盤研究（Ｃ） 代表：リムホンエン 「ヘテロ固体界面における原子層物質の成長」 *学会等の活動 [#k9dfb5a4] -日本表面真空学会 真空技術調査部会 研究例会企画専門部会 委員 //-日本学術振興会 第147委員会委員
